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Caractérisation électrique et extraction , par la méthode de la température , de la densité d'états pièges dans ies transistors en couches minces de silicium polycristallin .
Modélisation du phénoméne de la diffusion du bore dans le silicium polycristallin trés fortement dope obtenu par L.P.C.V.D.
Les contraintes internes et l'effet des traitements thermiques sur les défauts et la ségrégation des impuretés dopantes dans le silicium polycristallin pour des applications photovoltaïques
Croissance et étude de L'effet de l'hydrogène sur les propriétés du silicium polycristallin destiné à l'usage photovoltaïque
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