Les contraintes internes et l'effet des traitements thermiques sur les défauts et la ségrégation des impuretés dopantes dans le silicium polycristallin pour des applications photovoltaïques
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Ce travail s'inscrit dans le cadre de l'évolution d'une méthode d'élaboration des lingots de silicium polycristallin destinés à la fabrication des cellules solaires. Cette méthode a été mise au point au niveau du laboratoire. Les conditions de croissance des échantillons élaborés, conduisent à des structures de grains et de joints de grains présentant un taux de dislocations très élevé et une grande concentration d'impuretés ségréguées au niveau des joints de grains. Ces défauts sont dus à la présence des contraintes internes crées lors de cristallisation du matériau. Ces contraintes, sont du troisième, deuxième et du premier ordre. Ces dernières se définissent à l'échelle de l'échantillon en entier. Elles sont issues de l'existence d'un gradient de déformation due à une transformation hétérogène le plus souvent d'origine thermique
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 SIL TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |