Modélisation du phénoméne de la diffusion du bore dans le silicium polycristallin trés fortement dope obtenu par L.P.C.V.D.

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L 'intérêt de ce travail réside dans I..étude dela diffusion d..impuretés dopantes dans 18 structure constituée d'un dépôt de silicium LPCVD obtenu sur un substrat de silicium mooocristallin. La couche de silicium polycristallin est dopée au bore par implantation d'ions, puis l'ensemble de la structure subit un recuit thermique â 1025°C et 1100 oC pendant des durées différentes.Durant le traitement thennique, l'impureté dopante7 à savoir le bore, se distribue par diffusion themtique, le long de l'épaisseur de la structure. Des profils expérimentaux de la concefinaîion du bore en fonction de la profondeur sont obtenus par SIMS. Pour une bonne compréhension de ces profils SIMS, nous avons proposé un modèle théorique qui tient compte de la variation du coefficient de diffiJsion avec la concentIation du dopant~ et l'effet de certains phénomènes sur la diffusion ( champs électrique inteme~ diffusion lacunaire et tnterstitieJle).L'ajustement des profils simulés avec les profils expérimentaux nous a permis d'extraire les paramètres physiques tels que le coefficient de diffusion, le rapport de diffusivité et l'energie d'activation.