Fabrication des contacts ohmiques par méthode de Dopage fort en utilisant GaAs comme un semiconducteur de choix
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
1996
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le but de cette étude était de jeter les bases d'une évaluation quantitative de quelque paramétres caractéristique de la fabrication des contacts ohmique par méthode de dopage fort
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 TRI TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Triki, H. et al. (1996). Fabrication des contacts ohmiques par méthode de Dopage fort en utilisant GaAs comme un semiconducteur de choix (Magister) . Annaba.