Propriétés spectroscopiquesd'un matériau leser semi-conducteur de type III-N(GaN)dopé aux ions Erbium(Er3+)
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
2005
Afficher le Résumé
Les matériaux semi-conducteurs III-N dopés par des ions de terres rares (en particulier l'erbium) deviennent de plus en plus étudieés ces toutes dernières années pour leurs propriétés laser.
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
|---|
| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 530 DJE TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Djellab, S. et al. (2005). Propriétés spectroscopiquesd'un matériau leser semi-conducteur de type III-N(GaN)dopé aux ions Erbium(Er3+) (Magister) . Annaba.