Etude du silicium amorphe hydrogene sur structure schottky
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
1988
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la vocation électrique et solaire du silicium amorphe hydrogé- né (a-si: h) a déclenché au milieu des années soixante-dix, une vaste activité de recherche dans le monde entier. sa pre- mière préparation contrôlée date de 1969 pat rc chittick, j.h alexander et h.f sterling. en 1975, speat et lecombermontzent que l'on peut facilement doper ce matériau au cours de sa ???patation, découverte particulièrement importante en vue des applications électroniques.
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 RAH TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Rahal, A. et al. (1988). Etude du silicium amorphe hydrogene sur structure schottky (Magister) . Alger.