Recuit par bombardement électronique pulsé du silicium implanté arsenic
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
1983
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Dans ce travail, nous avons étudié la qualité cristalline ainsi que le dopage de couches de silicium monocristallin de type p ayant subi une implantation d'ions arsenic (1015 ions/cm², 140 KeV) et un traitement thermique par faisceaux d'énergies pulsés.
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 BAG TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Baghdadi, M. et al. (1983). Recuit par bombardement électronique pulsé du silicium implanté arsenic (Doctorat) . Annaba.