Etude de la durée de vie et de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans les jonctions SnO2-Si(n+)-Si(p) détermination du niveau de recombinaison
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Année de soutenance:
1987
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Dans ce travail nous avons réalisé des cellules de structures ShO2-Si(n+)-Si(p). Nous avons mesuré dans un premier temps les paramètres électriques des porteurs de charges minerritaires tels que la durée de vie ,la longueur de diffusion L, à partir desquels nous avons déterminé la mobilité u.
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 OUT TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Outemzabet Houari, R. et al. (1987). Etude de la durée de vie et de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans les jonctions SnO2-Si(n+)-Si(p) détermination du niveau de recombinaison (Magister) . Alger.