Simulation et propriétés électriques des semiconducteurs
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
2006
Afficher le Résumé
L'implantation ionique est une étape primaire dans la fabrication des dispositifs et des circuits intégrés des semiconducteurs composés. Elle est également une bonne technique prouvée pour réaliser de région de forte résistivité dans les composés semiconducteurs en introduisant des ions de haute énergie H+ et He+. Cette technique d'isolement d'implantation est largement répandue pour obtenir l'isolement électrique.
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
|---|
| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 530 LAB TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Labidi, S. et al. (2006). Simulation et propriétés électriques des semiconducteurs (Magister) . Annaba.