Les semiconducteurs transparents de type AII BIV, suscitent une attention considérable du point de vue fondamental et application, en raison de leurs propriétés très exploitées. Une considération particulière a été portée sur l'oxyde de zinc (ZnO), qui est un semiconducteur de type n possédant d'excellentes propriétés électriques, catalytiques, magnétiques et optiques qui lui confèrent la possibilité d'être exploité dans de nombreux domaines tels que, la microélectronique, l’optoélectronique, et la spintronique. Dans cette perspective, l'influence de la concentration du fer sur les propriétés structurales et microstructurales du ZnO, est étudiée. Des couches minces de ZnO dopé au fer ont été déposées par la technique spray pyrolyse sur des substrats en verre et en silicium. Les diffractogrammes X montrent que les films déposés et non dopés sont fortement texturés et présentent une orientation préférentielle suivant la direction cristallographique [002]. Le gap optique Eg du ZnO non dopé est de l’ordre de 3,26 eV. Le dopage du ZnO par le fer (de 0 à 5 % en poids), ne change pas sa structure atomique de Würtzite, mais introduit des imperfections suite à la diffusion des atomes de Fe dans la maille de ZnO. La méthode des ondes planes linéairement augmentées (FP-LAPW), basée sur l'approximation de la densité de spin local (LSDA) pour le potentiel d’échange et de corrélation, est utilisée. L’approximation du gradient généralisé (GGA) pour étudier les propriétés structurales et électroniques du ZnO pur dans la phase Wurtzite a permis de vérifier que la structure hexagonale Würtzite est la plus stable et produit un semiconducteur de gap direct. Les résultats obtenus pour le gap Eg et la densité des états (DOS), sont en bon accord avec les valeurs calculées rapportées dans la littérature.