Courant thermiquement stimulé et photoconductivité dans le silicium amorphe hydrogène
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
1988
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Le travail présenté dans ce mémoire avait pour but la maitrise d'une technique de caractérisation des états localisées présent dans le gap du silicium amorphe hydrogéné: le courant thermiquement stimulé associé aux mesures de photoconductivité
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 HAD TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Hadjarab Boualem et al. (1988). Courant thermiquement stimulé et photoconductivité dans le silicium amorphe hydrogène (Magister) . Alger.