Etude et optimisation des propriétés élastiques de la structure AlGaAs/GaAs

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Les paramètres élastiques des matériaux GaAs, AlAs et leurs alliages ternaires AlxGa1-xAs (0 = x = 1) sont déterminés et analysés selon la technique de la microscopie acoustique à balayage. Ainsi, les effets de la fraction de l’aluminium, x, et de l’anisotropie des matériaux sur plusieurs paramètres, P, (coefficient de réflexion, signatures acoustiques, angles critiques des modes réfléchis, périodes spatiales des V(z), spectres de FFT et vitesses d'onde correspondantes) ont été considérés, analysés et discutés. Il a été démontré que lorsque la fraction d’Al augmente, plusieurs comportements sont obtenus : (i) tous les angles critiques des différents modes (longitudinale, transversale et Rayleigh) diminuent, (ii) toutes les périodes spatiales augmentent et (ii) les vitesses des ondes de Rayleigh et des Skimming augmentent. Par ailleurs, cette analyse a également confirmé que la dispersion des paramètres de la structure AlxGa1-xAs/GaAs en fonction de l’épaisseur normalisée de la couche d/?T, évolue différemment selon la direction cristallographique considérée : [111], [100] ou [110]. De plus, les variations des paramètres, P, ont été quantifiées et des formules semi-empiriques ont été déterminées de la forme: P = Ax 2 + Bx +C ; à partir de ces formules, des informations précieuses peuvent être déduites et qui sont d’une importance capitale pour la caractérisation de la structureAl0,4Ga0,6As /GaAs.