Contribution à l'étude des anomalies basses fréquences dans les MEFSET GaAs
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
2011
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Cette étude concerne les anomalies basses fréquences des éléments de sortie: l'impédance, Zds, et la capacité, Cds, des transistors à effet de champ MESFETs GaAs. Premièrement nous nous sommes basés sur le modèle de camacho et al avec une branche additionnée représentante des caractéristiques des pièges au niveau de l'interface canal/substrat composée d'une capacité Css placée en serie avec une résistance Rss.
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 CHE TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | Papier | interne | disponible |
Cheikh, K. et al. (2011). Contribution à l'étude des anomalies basses fréquences dans les MEFSET GaAs (Doctorat) . Annaba.