Dans les systèmes de communication optique à grande vitesse, les transistors à effets de champ MESFETs GaAs se présentent comme les composants les plus intéressants pour des applications potentielles. Cependant, la dépendance de l’impédance de sortie, Zd, par la fréquence, f, perturbe son bon fonctionnement et cause plusieurs problèmes particulièrement dans les applications numériques. Dans ce travail, l’investigation expérimentale sur la variation fréquentielle de l’impédance de sortie, Zd (f), a été menée sur des MESFETs GaAs de type commercial à différentes tensions de polarisation drain–source, Vds, et grille–source, Vgs, dans la gamme de fréquence [10 Hz – 10 MHz]. L’étude s’intéresse à l’influence des conditions de polarisation sur les deux dispersions négative et positive de l’impédance de sortie. Il a été constaté qu’en faible polarisation, la dispersion fréquentielle de l’impédance de sortie est pratiquement négligeable. De plus, les valeurs de Zd (f) sont très faibles à comparer à celles relevées près du pincement ou lorsque le dispositif fonctionne en régime de saturation. Par contre, les fortes tensions de polarisation correspondent à de fortes dispersions négative et positive corrélées à des valeurs de Zd (f) très importantes. Notons que ces valeurs de Zd (f) près du pincement sont 600 % plus élevées que celles de la saturation. L’augmentation de la dispersion maximale est proportionnelle à la largeur d’extension des ZCE. Le phénomène de l’extension de la zone désertée sous les surfaces libres, couche de passivation/canal conducteur, peut être à l’origine de la dispersion fréquentielle positive de Zd (f) en fortes tensions de polarisation. Ce phénomène peut limiter les applications potentielles des composants microélectroniques modernes.