Etude des propriétés structurales, electroniques, optiques et thermodynamiques des composés binaires semiconducteurs CdS, CdSe et CdTe et leurs alliages ternaires par la méthode des ondes planes linéarisées (FPLAPW)

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Les propriétés structurales, électroniques et optiques des chalcogènes CdS, CdSe et CdTe et leurs alliages ternaires CdS1-xTex, CdS1-xSex et CdSe1-xTex dans la phase zinc-blende ont été étudiées. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralisé (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés structurales. Cependant pour les propriétés électroniques (structure de bandes (les gaps)) des composés binaires et ternaires, nous avons utilisé en plus des approximations à savoir la LDA et la GGA, l’approximation GGA-EV pour s’approcher du gap expérimental. Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes montrent une (iv) amélioration considérable par rapport aux autres approximations ainsi que d’autres travaux théoriques et sont plus proches aux données expérimentales. Pour les alliages CdS1-xTex, CdS1-xSex et CdSe1-xTex, ces différentes propriétés physiques ont été calculées, notamment la variation de grandeurs structurales, électroniques, optiques et thermodynamiques en fonction de la concentration. Des approche sont été utilisés telle que celle de Zunger pour expliquer les paramètres de désordre qui concordent bien avec ceux obtenus par des méthodes théoriques ou experimentales.