Contribution à l'étude des propriétés du silicium microcristallin
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Dans le but d'améliorer les propriétés du silicium microcristallin on dilue le mélange gazeux (SiH4 et H2) avec l'argon. L'ajout d'argon (Ar) dans le procédé de dépôt PECVD améliore la cristallinité des couches, il engendre une transition de phase amorphe- microcristallin. Les résultats Raman ont montrés une meilleure amélioration de la cristallinité de la couche quand on augmente le débit d'argon. L'étude par spectroscopie IR à montré que l'hydrogène est lié au silicium par une liaison de type hydride (Si-H2) et mono-hydride (Si-H) aux environs de 2100 cm-1. Quand le débit d'argon croît, les défauts augmentent et le taux d'hydrogène qui passive les défauts diminue. Ce phénomène est attribué à l'augmentation de la fraction volumique de cristallites dans les couches
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 HAM TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |