Physique des dispositifs électroniques,maîtrise d'électronique, d'électrotechnique et d'automatique, C3, électronique

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Cet ouvrage étude les phénomènes physiques qui permettent aux composants électroniques de fonctionner. Le domaine repose principalement sur la physique des semi-conducteurs, notamment le comportement des électrons et des trous dans les matériaux. L'étude commence par la structure énergétique des matériaux et les notions de bandes d'énergie, de bande de valence, de bande de conduction et de gap énergétique. Elle explique ensuite comment le dopage transforme un semi-conducteur intrinsèque en matériau de type N ou P. Le transport des charges est étudié à travers les phénomènes de dérive et de diffusion, qui permettent de comprendre le fonctionnement de la jonction PN. Cette dernière constitue la base de nombreux composants, notamment les diodes. Les transistors bipolaires (BJT) et les transistors à effet de champ (FET/MOSFET) sont ensuite étudiés à partir de leur structure physique et de leurs mécanismes de conduction. Une attention particulière est portée aux structures MOS, fondamentales pour les circuits intégrés modernes. Le domaine couvre également les dispositifs optoélectroniques tels que les LED, photodiodes et cellules photovoltaïques, ainsi que les composants de puissance comme les thyristors, MOSFET de puissance et IGBT.

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