Répertoire mondial des transistors à effet de champ MOS de puissance JFET et MOS

Type doc. :

Livre

Langue :

Français

Editeur(s) :

Année d'édition :

1983

Thème :

Electronique

ISBN :

2709109433
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Répertoire mondial des transistors à effet de champ MOS de puissance, JFET et MOS : toutes les caractéristiques pour identifier, sélectionner et substituer de Édouard Touret est un ouvrage de référence destiné aux professionnels, techniciens, réparateurs et amateurs avancés en électronique. Il rassemble dans un même volume un grand nombre de transistors à effet de champ commercialisés par différents fabricants à travers le monde. Pour chaque composant, l'auteur fournit les caractéristiques essentielles telles que les tensions et courants maximaux, la puissance dissipée, les paramètres électriques, les types de boîtiers et les références constructeurs. L'objectif principal de ce répertoire est de faciliter l'identification rapide des composants, le choix du transistor le mieux adapté à une application donnée et la recherche d'équivalents en cas d'indisponibilité d'une référence. Grâce à ses tableaux de données et à ses informations de substitution, l'ouvrage constitue un outil pratique pour la conception, la maintenance et la réparation des équipements électroniques utilisant des transistors JFET et MOSFET. Il se présente avant tout comme une base documentaire technique permettant de comparer efficacement les composants et de prendre des décisions éclairées lors du remplacement ou de la sélection de transistors.

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N° Bulletin Date / Année de parution Titre N° Spécial Sommaire
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96125A88 621.381 TOU 4 C1 BIB-Centrale / Ouvrages Papier interne disponible
96126A86 621.381 TOU 4 C2 BIB-Centrale / Ouvrages Papier interne disponible
Touret, É. & Lilen, H. (1983). Répertoire mondial des transistors à effet de champ MOS de puissance JFET et MOS . Ed. Radio;