Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium
Type doc. :
Livre
Langue :
Français
Auteur(s) :
Editeur(s) :
Année d'édition :
1984
Thème :
Electronique
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Le transistor à effet de champ, à barrière Schottky, sur arséniure de gallium (MESFET GaAS) fonctionne efficacement dans la zone spectrale allant du gigahertz à la centaine de gigahertz. les systèmes de communication, de détection, de contre=mesures...travaillant dans cette bande font de plus en plus appel à ce nouveau composant. des mise au point sur les différents circuits utilisant ce transistor, établies par des spécialistes universitaires et industriels constituent les différents chapitres de ce livre qui apport ainsi un outil de travail solide dans un domaine en pleine évolution. (extrait de 4e de couv.)
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 621.381 APP 1 C1 | BIB-Centrale / Ouvrages | Papier | interne | disponible | ||
| 621.381 APP 1 C2 | BIB-Centrale / Ouvrages | Papier | interne | disponible |
Soares, R. et al. (1984). Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium . Eyrolles;