Traité d'électricité. V7, dispositifs à semiconducteur

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Le Traité d’électricité, Volume VII : Dispositifs à semiconducteur de Jean-Daniel Chatelain (1979) est un ouvrage de référence qui expose de façon rigoureuse la physique des semiconducteurs et son application aux principaux composants électroniques. Le livre commence par les bases : structure des bandes d’énergie, porteurs de charge, dopage et mécanismes de conduction, afin d’établir le lien entre phénomènes microscopiques et comportements électriques mesurables. Il développe ensuite l’étude des jonctions PN et des diodes, puis celle des transistors bipolaires, des transistors à effet de champ (JFET, MOSFET) et des dispositifs de puissance comme les thyristors, en présentant pour chacun le principe de fonctionnement, les caractéristiques statiques et dynamiques, ainsi que des modèles électriques utilisables en conception de circuits. L’ouvrage aborde aussi des dispositifs optoélectroniques (photodiodes, LED, lasers) et donne un aperçu des technologies de fabrication. Son objectif principal est de relier la théorie physique aux modèles pratiques employés par les ingénieurs, ce qui en fait un support à la fois pédagogique et technique pour l’étude avancée des composants à semiconducteurs.

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