Influence du régime extrême de fonctionnement sur la durée de vie des composants semi

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Les travaux présentés dans cette thèse portent sur l'étude de la robustesse des transistors jfet-sic en régime de court-circuit. ces transistors jfet-sic (jfet 1300v-2a et jfet 1200v-i1sa) développés par siced sont destiné à des applications aéronautiques et spatiales. nous avons cherché à évaluer la tenue de ces transistors sous des conditions extrêmes court-circuit et de températures élevées. ainsi, la première partie de cette thèse présente les tests expérimentaux réalisés durant lesquels nous avons cherché a évalué le fonctionnement des transistors jfet en limiteurs de courant tout en supportant la tension et la température ambiante à la quel ils sont soumis. dans la deuxième partie, nous avons réalisés des essais destructifs pour dessellés l'énergie qui peuvent dissipés pendant la phase de court-circuit. afin de définir une aire de fonctionnement sans risque de défaillance en court-circuit. enfin, des travaux de modélisation électrothermique sont présentés afin de chercher à estimer la température du cristal pendant la phase de court-circuit et au moment de la défaillance. pour cela nous avons cherché à relier le courant de saturation à la température, ce que nous avons pu faire sur une large gamme de température (25 à 500°c) en extrapolant des résultats de caractérisation obtenu à température élevée (350°c) à l'aide des travaux de modélisation thermique. ces travaux montrent l'exceptionnelle robustesse des transistors jfet sic en régime de court-circuit et de limitation de courant