Etude analytique comparative des puits quantiques paraboliques et rectangulaires à base de silicium et de germanium

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Les efforts fournis par les chercheurs pour l'investigation des propriétés électroniques et optiques des matériaux et notamment ceux des semiconducteurs ont permis l'avènement de nouveaux composants grâce au développement de la technologie de croissance. La condition nécessaire à la réalisation d'une bonne hétéro epitaxie d'un semiconducteur sur un autre est évidement que les deux matériaux aient d'une part la même structure cristalline et d'autre part des paramètres de mailles voisin [1]. Dans le cas contraire le dépôt sera amorphe, ou dans le meilleur des cas, polycristallin, et le matériau constituant la couche de plus grande épaisseur imposera sa maille à l'autre. Ceci entraîne l'existence dans le matériau de faible épaisseur d'une contrainte biaxiale dans le plan de la couche [2]. Au moment de la relaxation un excédant d'énergie va induire une perturbation de la liaison qui se manifeste sous la forme de défauts ou de dislocation. Pour remédier à ce problème il faut jouer sur l'angle de déposition, créer une couche tampon, ou bien avoir recours aux matériaux organiques en les déposant sur d'autres matériaux inorganiques, mais du point de vue technologique c'est difficile. Différents types de semiconducteurs tels que les composés binaires et leurs alliages peuvent être épitaxiés les uns sur les autres pour former différents types d'hétérostructures les candidats pour notre étude sont le Si et le Ge et les hétéro-structures étudiées sont de la forme rectangulaire et parabolique.