Le présent travail de mémoire de Magister porte sur la synthèse et la caractérisation des matériaux chalcopyrite de type Cu (In1-xGax) Se2 et leur utilisation comme couches absorbeurs dans les cellules photovoltaïques. Nous avons utilisés diverses techniques pour réaliser une analyse fine de leurs caractéristiques structurales, physico-chimiques et optiques. L'étude des couches minces préparées par coévaporation d'un échantillon de CuInSe2 par MET a permis l'identification de la phase cubique Cu2xSe dans la matrice chalcopyrite CIS. Ainsi les propriétés optiques fondamentales a été effectuée sur des films riches en Cuivre présentent un coefficient d'absorption a de l'ordre de 104 cm³¹ et un gap optique direct égal à 1,01 eV. L'analyse EDS/MEB des couches CuInSe2/CuGaSe2 préparées par l'évaporation flash montre une composition chimique proche de la stoechiometrie avec des gros grains en surface et d'un fond de structure compacte homogène constituée par des petits grains. Les diagrammes de diffraction de Rayons X des couches de CuInSe2/CuGaSe2 montre que le recuit rend les dépôts très polycristallins et permet l'obtention de la chalcopyrite avec des degrés de cristallisation qui croient avec l'augmentation de la température. Pour aboutir à des films suffisamment cristallisés et de bonne qualité, la température de dépôt doit excéder 300°C voire 400°C, si l'on tient à des films pratiquement stoechiométrique. Les propriétés optiques sont influencées par la composition chimique et le traitement thermique. Les mesures de transmissions ont montré que les échantillons analysés étaient des semi-conducteurs à gap direct. Les mesures de l'absorption ont permis d'évaluer les énergies de matériau et dont la valeur est de 1,14 eV à l'état de dépôt et 1,41 eV après recuit.