Calcul ab initio des proprietes structurales, électroniques, élastiques et dynamiques des semiconducteursIII-V 0 base de phosphore

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Les semiconducteurs III-V à base de phosphore, telsle phosphure d'aluminium (AlP), le phosphure de gallium (GaP), le phosphure d'indium (InP) et le phosphure de bore (BP), ainsi leurs alliages comme par exemple le phosphure de gallium et d'aluminium (GaxAl1-xP), présentent des performances exceptionnelles lorsqu'ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et d'autres applications dans le développement de nouvelles technologies. Cependant, la fabrication de ces composés n'est pas facile, en raison des difficultés de synthétisation. D'où, la bonne connaissance de leurs propriétés est indispensable. De nos jours, les méthodes de types ab initio se révèlent de plus en plus comme étant un outil de choix pour interpréter à l'échelle microscopique les observations expérimentales et guider efficacement le choix des expérimentateurs. L'objectif de cette thèse est d'étudier les propriétés structurales, électroniques, élastiquesetdynamiquessouslapressionhydrostatiquedecescomposésmentionnésci- dessus. Nos calculs sont basés sur la méthode des pseudopotentiels couplés avec les ondes planes (PP-PW), la théorie de la densité fonctionnelle (DFT) et la théorie perturbative de la fonctionnelle de la densité (DFPT). Nos résultats sont, d'une part, en bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles, et d'autre part constituent une fiable prédiction