Etude des défauts électroniquement actifs dans le silicium recuit par faisceaux d'électrons pulsés

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Des diodes Schottky ont été réalisées sur du silicium du type N dont la surface a subi un recuit par bombardement électronique pulsé (R.E.P.). Au-dela d'un seuil situé aux environs de 1.0 J/cm², le R.E.P. provoque une forte détérioration des caractéristiques électriques des diodes, une diminution de la bar- rière de potentiel au contact Au-Si (N) et une augmentation rapide du facteur d'idéalité. Par oxydations anodiques successives, on a pu suivre l'évolution de toutes ces caractéristiques électriques en fonc- tion de l'épaisseur enlevée du matériau (Si). En outre, une amélioration sensible de ces mêmes carac- téristiques est obtenue sur des échantillons traités par R.E.P. et suivi d'un recuit thermique isochrone sous H2 durant 30 mn jusqu'à 600°C. La technique de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (D.L.T.S.) est utilisée pour étudier les défauts électroniquement actifs induits par R.E.P. dans le Si vierge N (100). Cinq défauts profonds sont observés à des niveaux situés à (Ec0.48eV, (Ec 0.42eV), (Ec 0.38eV), (Ec0.29eV) et (Ec- 0.22eV). Leur apparition dépend une part de la fluence et d'autre part de l'énergie moyenne des élec- trons. Le recuit thermique de ces défauts est effectué dans un four sous atmosphère d'hydrogène pen- dant 30 mn. Par ailleurs, l'effet de l'implantation d'hydrogène (H+) sur les niveaux observés, est égale- ment étudié. Enfin, l'évolution des profils de distribution en profondeur détermines par la technique de Double Corrélation (D.D.L.T.S.) est analysée pour différentes fluences de l'irradiation.