Etude des caractéristiques des MESFETs en relation avec l'effet photonique

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Le transistor à effet de champs à barrière Schottky, MESFET, est un dispositif de base dans plusieurs circuits fonctionnant en hyperfréquence comme les télécommunications mobiles. Ce composant éclairé, appelé également OPFET, manifeste une grande importance, en raison de ses capacités d'utilisation comme photo-détecteurs, oscillateurs, mixeur optoélectroniques, etc. C'est ainsi que nous nous sommes intéressés, dans ce travail, à l'étude de l'influence de la densité d'énergie optique sur les caractéristiques d'un OPFET GaAs.Pour se faire, nous avons développé un logiciel de simulation faisant intervenir une approche basée essentiellement sur les phénomènes physiques régissant les MESFETs. Cet outil permet la résolution des équations nécessaires aux investigations ainsi que l'édition des résultats sous forme numérique et graphique. L'influence de plusieurs paramètres: densité optique, dopage du canal conducteur, épaisseur de la zone active, etc.