Etude de l’activité électronique des joints de grainsdans le silicium poly-cristallin destiné à desapplications photovoltaïques
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Français
Auteur(s) :
Année de soutenance:
2014
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Le travail présenté dans cette thèse rentre dans le cadre du développement de la filière couches minces pour la fabrication des cellules solaires. Les couches minces de silicium poly-cristallin étudiées, sont dopées bore ou arsenic par implantation ionique et soumises à différents traitements thermiques sous azote ou sous hydrogène. Ces couches, nous les avons caractérisées par mesures d'effet Hall et de résistivité. Les résultats obtenus ont montré que pour une même concentration de dopant, les couches dopés arsenic sont plus résistives et contiennent moins de porteurs libres que les couches dopées bore
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 530 ZAD TH C1 | BIB-Centrale / Thèses | interne | disponible |
Zaidi, B. et al. (2014). Etude de l’activité électronique des joints de grainsdans le silicium poly-cristallin destiné à desapplications photovoltaïques (Doctorat) . Annaba.