Le but de notre travail était de recenser les défauts profonds présents dans les alliages ternaires et quaternaires GaInAs et GaInAsP adaptés en maille cristalline à InP. Le moyen d'investigation choisi était la spectroscopie transitoire de capacité; il restait à définir l'appareillage employé et le traitement de signal approprié. Nous avons opté pour un système informatique qui nous permettait d'obtenir un grand nombre d'informations et présentait une grande versatilité. La mise au point d'un tel système et son utilisation pour la caractérisation des défauts dans les ternaires et quaternaires peuvent se structurer en quatre étapes (correspondant aux quatre chapitres du présent ouvrage) : la bonne compréhension de la physique du phénomène observé, la définition des techniques de traitement du signal et la réalisation d'un support logiciel pour la conduite des diverses expériences, la connaissance des méthodes d'élaboration et des propriétés physiques du matériau étudié, l'emploi du systeme pour caracterlser ce materlau. Nous avons ainsi pu commencer le recensement des défauts profonds dans les alliages ternaires et quaternaires après avoir rendu notre système opérationnel. De nombreux auteurs pensent que les défauts profonds peuvent être à l'origine des médiocres performances des composants; un gros travail reste donc à faire dans ce domaine. Il faut, en particuli.er, clarifier l'origine de ces défauts qui peut être ~mputée soit au matériau lui même, soit au procédé d'élaboration. Le banc de caractérisation que nous avons rédlisé permettra, dans un proche avenir, la mesure de profils de défauts par double DL TS, en utilisant la technique boxcar ou la technique détection synchrone. Nous envisageons aussi de pouvoir appliquer des impulsions de remplissage très courtes pour mesurer les sections de capture des défauts, la durée d'impulsion maximale étant, pour l'instant, limitée à 1Récemment, nous avons développé un logiciel permettant, après couplage de \ notre banc. de mesure à une expérience optique existant déjà au laboratoire, une mesure précise des sections de capture optiques de photo ionisation par DLOS.