L'objectif de ce travail était de caractériser et de modéliser des structures <Au/InSb/InP (100" aboutissant au modèle théorique le mieux adapté pour la mesure; ce travail a été fait à l'obscurité et sous éclairemen La structure étudiée étant une diode Schottky à base de phosphure d'indium restructuré par dépôt d'antimoine; la restructuration est faite: § d'une part, pour obtenir une surface InP apte à tout dépôt métallique puisque les traitements them1iques que le substrat a subit, ont provoqué lUle évaporation du phosphore et par conséquent un dépôt d'indium métallique en surface; § d'autre part, pour obtenir un contact Schottky puisque la structure <Au/InP ( 100 " présente un contact purement résistif. Cette étude consiste à détem1iner certains paramètres électriques de la structure étudiée tels que le courant de saturation Is, la hauteur de barrière de potentiel <l>BN, le facteur d'idéalité n, la densité d'états d'interface Nss, la concentration en dopants Nd ainsi que la tension de diffusion V d. Au cours de ce travail, nous nous sommes orientés vers les axes principaux suivants: 0 Des mesures électriques à l'obscurité et sous éclairement, ont été effectuées afin d'obtenir les caractéristiques expérimentales courant-tension et capacité-tension du dispositif étudié; ces caractéristiques permettent d'évaluer les paramètres expérimentaux de la structure considérée, ce qui a pem1is d'aboutir aux résultats résumés par le tableau suivant Obscurité Il[umination Les résultats de l'expérimentation montrent que: §J l'échantillon de test présente une résistance à l'obscurité importante due à la présence de deux contacts Au/In Sb/InP ainsi que la résistance du semiconducteur; cette résistance dépend de l'épaisseur de la couche d'interface 8. §] la variation du facteur d'idéalité n est contrôlée par la densité d'états d'interface pour les faibles courants. §] la caractéristique C(V) est contrôlée par deux rn veaux donneurs au voisinage de la bande de conduction. .. caractenstlques théoriques de la structure Schottky considérée; à partir des caractéristiques I(V) obtenus par les différents modèles de calcul, nous avons tiré les valeurs du courant de saturation Is qui sont résumés, avec le courant pratique, par le tableau .. (thermoiolliqlle). (upbimmtl1/} L'étude faite nous a alors conduit au modèle analytique le mieux adapté pour l'interprétation des résultats trouvés; le modèle dominant pour le transport est, dans notre cas, le processus thermoïonique. Un certain nombre de correction peut être apporté à ce modèle en prenant en compte l'influence des porteurs minoritaires et le courant de recombinaison qui apparaît à l'intérieur de la zone de charge d'espace. .-Le modèle théorique approprié étant connu, nous avons alors fait une comparaison entre les courbes expérimentale et théorique, donnant la variation de en fonction pour dételminer la valeur de la résistance série Rs qui a diminué de 41.59 .{2 à l'obscurité à 20.21 .{2 sous éclairement.