Système d'acquisition et de traitement d'images des diagrammes de diffraction d'électrons obtenus en épitaxie par jets moléculaires.

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La diffraction d'électrons de haute énergie ( 10 Kev) par reflexion sous incidence rasante <RHEED) est une technique de caractérisation de la structure cristalline -notamment des surfaces couramment utilisée en épitaxie par jets moléculaires (EJM). Les informations qualitatives et quantitatives fournies par les diagrammes de diffractions obtenus sur un écran phosphorescent sont tout d'abord décri~s : vitesse et modes de croissance des couches, cristallinité, état et rèconstruction de la surface, paramétre de marne, etc.Sont traités ensuite les principales caractéristiques et le fonctionnement du système d'acquisition et de traitement d'images défini et mis au point pour extraire automatiquement et en temps r~1 les informations contenues dans les diagrammes de diffraction.Est présent(, enfin, l'application, sur un bâti d'EJM RIBER 2300, de ce syst~me d'acquisition et ae traitement des diagrammes de diffraction, pour résoudre deux problèmes spécifiques : .la mesure de la vitesse de croissance en temps réel. .la mesure de la relaxation du r(,seau cristallin dans le cas de L'hétéroépitaxie GaAs/Si ( 4% de désaccord de maille). Les résultats obtenus mettent en évidence les performances et les possibilit('S de développement ~ des probl!mes divers du sytème de traitement d'images mis au point.